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高純抗氧化石墨坩堝的核心競(jìng)爭(zhēng)力,源于基體純度與防護(hù)技術(shù)的深度融合

發(fā)布作者:jcadmin      發(fā)布時(shí)間:2025年12月23日

高純抗氧化石墨坩堝的中心競(jìng)爭(zhēng)力,源于基體純度與防護(hù)技術(shù)的深度交融:
基體純度:99.95%是底線,雜質(zhì)控制到ppb級(jí)
選用經(jīng)2800℃以上高溫石墨化的超高純石墨(固定碳≥99.95%),灰分總量≤50ppm,關(guān)鍵雜質(zhì)(Fe、Si、Al)含量≤10ppm(相當(dāng)于每噸石墨中僅含10mg雜質(zhì))。這種純度能從源頭減少高溫下的雜質(zhì)揮發(fā):1600℃真空環(huán)境中,總揮發(fā)物含量≤0.005%(一般99.5%石墨達(dá)0.1%),防止污染電子級(jí)硅料(要求金屬雜質(zhì)≤1ppb)。 更關(guān)鍵的是,高密度基體(1.88-1.92g/cm3)的孔隙率≤2%,能減少涂層滲入時(shí)的應(yīng)力會(huì)集,使涂層附著力提升至12MPa(一般坩堝僅8MPa),處理了高純石墨因脆性導(dǎo)致的涂層易墜落問(wèn)題。

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